如何缓解功率LDMOS(Lateral Double-diffusion Metal Oxide Semiconducor)耐压与比导通电阻之间的矛盾关系,一直是业界研究的热点......

随着集成电路制造工艺技术的不断进步,器件尺寸快速缩小,电源电压持续降低,电路的集成度大大提高,可由此带来的集成电路老化问题变......

应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载......

对于100V以下低压功率MOSFET器件,要实现大电流和低导通电阻,若采用平面结构,芯片面积会很大,不能满足元器件小型化的市场需求。本......

随着科学技术的飞速发展,电气领域对于电力电子器件的性能要求也越来越高,IGBT作为重要的电力电子器件,其各方面性能也在不断提升......

宽禁带材料GaN作为第三代半导体,某些电学性能较Si材料更优。基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)能够适应高温、高压......