栅电流相关论文
将光纤布拉格光栅(FBG)粘贴在超磁致伸缩材料(GMM)上，两端加永磁体材料建立偏置磁场以确定系统静态磁场工作点，最后采用环氧树脂......
本文重点分析了应变Si Ge PMOSFET器件热载流子形成的机制,建立了栅电流模型,该模型增加了量子阱和平均自由程对电流的影响,通过仿......
运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米MOSFET栅电流，该方法特别适用于高k栅介质纳米MOS器件。还能用于多层高k栅介质纳......
采用Schroedinger-Poisson方程自洽全量子求解法研究了MOS器件不同介质材料和栅结构栅电流，该模型对栅电流中的三维电流成分用行波......
运用一种全量子模型，研究高k栅介质纳米MOSFET（场效应管）栅电流，特别用于各种材料高k栅介质和高k叠栅介质纳米MOSFET。使用该方法，研究......
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体（MOS）高电子迁移率晶体管结构。该结构采......
介绍了一种纳米MOSFET（场效应管）栅电流的统一模型,该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层......
介绍了一种纳米MOSFET（场效应管）栅电流和电容的统一模型，该模型基于Schrfidinger-Poisson方程自洽全量子数值解，特别适用于高k栅介质......
分析和模拟了SiC JFET在高温下出现的栅电流。模拟结果反映出在温度高于700K以后栅电流对SiC JFET的影响将越来越显著,在此基础上......
随着工艺制程的不断进展,浅沟槽隔离技术(STI)成为深亚微米后的主流隔离技术。文章通过测试分析不同栅到有源区距离(SA)晶体管(MOS......
为了进一步提高半导体器件的性能,除了改进器件结构外,各种新材料与新技术被不断地应用到器件的设计制造中。由于应变Si材料载流子......
文中主要通过模拟仿真了γ射线辐照对单轴应变Si 纳米NMOSFET器件电学特性的影响。仿真分析了不同辐照剂量、结构参数以及物理参数......
研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软......
随着微电子技术的发展,晶体管工艺尺寸逐渐缩小、集成度不断提高,较好地满足了用户对IC成本和性能的需求。然而,集成度的提高却带......
为定量研究在PHEMT栅电流退化过程中,不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例,本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓......
