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低温晶化硅薄膜材料及非晶硅/低温晶化硅叠层电池
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PECVD低温制备晶化硅薄膜及其机制浅析
采用SiCl4/H2 混合气源的等离子体化学气相沉积技术 ,在 30 0℃的玻璃衬底上低温制备出多晶硅薄膜 ,沉积速率大于 3 /s,晶化率达到......
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