晶体场和配位场理论相关论文
该文拟就强电场下晶体中过渡金属离子的电子顺磁共振(EPR)谱进行研究.对于在有对称中心的晶体中的过渡金属离子,其EPR谱无一级电场......
用建立在双机制模型的高阶微扰公式计算了X-射线照射的钨酸盐BaWO4中四角对称（MoO4）。一四面体基团的g因子，在这个模型中，不仅考虑了常......
基于离子簇近似下四角场中3d^3离子EPR参量的微扰公式，通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V^2＋中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究......
文章建立了立方四面体3d^2络合物g因子的完全高阶微扰公式。在这个公式中，除了与d—d跃迁光谱（晶场激发态）有关的晶场（CF）机制的贡献（包......
推导了晶体中立方（Oh对称）的3d3八面体基团的g因子的高阶微扰公式;其中,既包括了传统的晶场机制（涉及与d—d跃迁光谱有关的晶场激发态......
许多具有重要应用价值的功能材料其性能在很大程度上取决于其中的过渡金属或稀土金属离子的电子结构及缺陷性质，电子顺磁共振（EPR）谱......
电子顺磁共振（EPR）谱是研究掺过渡和稀土金属离子晶体及络合物的微观结构、光学和磁学性质等的有力工具。EPR谱常用自旋哈密顿参量（零......
含稀土离子的晶体有优良的光学和磁学性质，因而有广泛的用途。电子顺磁共振（EPR）谱及光谱是研究掺过渡和稀土金属离子晶体及络合物的......
掺杂于功能材料中的过渡金属离子杂质，因其电子能级和局部结构的特殊性质，从而对功能材料的性能产生了很大的影响。由于过渡金属离子......
本文基于晶体场理论,在较统一的理论模型和计算方法基础上运用微扰法分别对配体旋轨耦合系数较小(及体系共价性较弱)和配体旋轨耦......
晶体中掺杂过渡离子可以明显地改变材料的光学、磁学和催化等性能,因而广泛应用于半导体掺杂改性领域。材料的上述性能主要由掺杂......
掺杂3d5(如Mn2+、Fe3+)离子的半导体由于具有独特的磁性、电导性、光学和光催化等性能而成为重要的功能材料。这些材料的性能在很......
