时钟馈通误差相关论文
基于0.18-μm 1.8VCMOS标准工艺,设计了一个高精度开关电流存储单元。通过设置存储晶体管工作于线性区,并结合虚拟开关等技术,降低......
利用一种新技术，在低压（1．8V）条件下，设计了一种高性能的开关电流（SI）存储单元电路。该电路通过在基本存储单元基础上增加一个电压反转跟......
开关电流技术（SI）是一种可取代开关电容技术的数据采样技术。首先介绍了SI技术，然后以SI电路基本单元为例，分析了SI电路存在的各种误差......
对开关电流（SI）电路中的时钟馈通误差进行了详细的理论分析，设计了一种低电压下工作的共源共栅甲乙类（classAB）开关电流存储单元。该电......
对第一代开关电流存储单元产生的时钟馈通误差做了合理的近似分析，设计了一种高性能开关电流存储单元。该电路仅在原存储单元的基础......
