掺杂铌酸锂晶体相关论文
研究了温度对掺杂铌酸锂晶体位相共轭的影响.实验表明,温度是提高位相共轭波前反射率的一种有效途径.并用全息光栅理论对此作了解......
由于光折变效应有很多优点，所以其有着广泛的应用领域，因此人们在不断地对其进行深入的研究。在光折变介质中研究磁光相互作用(磁光......
测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况.在In3+的掺......
在Mn∶Fe∶LiNbO3中掺进6%MgO(摩尔分数)采用Czochralski技术生长Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.晶体在Li2CO3粉末中经500 ℃下24 h的还......
在氧化锂（Li2O）摩尔分数（下同）为48.6%～58%的LiNbO3中掺入0.1%的氧化铈（CeO2）和质量分数为0.03%的氧化铁（Fe2O3）,用提拉法技术生长出高光学......
集成光路,是20世纪60年代提出来的一种类似于集成电路的概念,它可以将光信号限制在高度集成化空间内进行传输和处理,但是它比集成......
本文利用第一性原理研究了In：Mn：LiNbO3晶体及对比组的电子结构和光学特性.研究结果显示,掺锰铌酸锂晶体的杂质能级主要由Mn的3d态轨......
本文从化学键的观点出发,综合考虑离子半径和化合价对离子占位的影响,提出了用键能方法来研究掺杂离子在铌酸锂（LiNbO3）晶格中的占位......
在氧化锂(Li2O)摩尔分数(下同)为48.6%～58%的LiNbO3中掺入0.1%的氧化铈(CeO2)和质量分数为0.03%的氧化铁(Fe2O3),用提拉法技术生长......
本论文从晶体化学键理论出发,利用简单径向力模型考查了杂质离子进入铌酸锂(LiNbO3)晶体后引起的局部晶格弛豫,在此基础上提出晶格......
光学体全息存储技术由于具有存储容量大、密度高、并行传输、冗余度高、寻址速度快和关联寻址等诸多优点,在下一代存储技术竞争中......
基于铌酸锂晶体的集成光学器件具有良好的光学性质。钛扩散铌酸锂光波导的损耗低、导波性能良好,掺铒铌酸锂晶体具有很好的光吸收......
