探测器单元相关论文
采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×8线列器件,......
本文采用LPMOCVD技术生长了In0.53Ga0.47As红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元和1×256线......
2排，16排至后64排时代，随着CT探测器排数的几何级数增长，内部数据传输总长随之不断加长，探测器单元增加附带的连间缝隙数量也在逐步增......
硼离子注入p型HgCdTe薄膜材料制备的光伏型红外探测器光敏元实际面积对器件结构的优化设计、器件性能研究具有重要意义．通过高分辨......
