氮化镓(Gallium Nitride,GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工作在高压条件下,会产生电流崩塌效应......

基于氮化镓(GaN)材料的新型半导体功率器件由于其高电子迁移率、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的电气特性,在高压、高频和......