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Si^+和S^+注入SI—GaAs白光快速退火特性
研究了 Si~+和 S~+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930~960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡......
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Si~+
S~+ implanted into GaAs
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