用全带 Monte Carlo方法模拟了纤锌矿 Zn O材料电子的稳态和瞬态输运特性 .稳态输运特性包括稳态平均漂移速度 -电场特性、电子平......

用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN MODFET的直流特性。模拟器件的栅极长度L_g为0.2μm,沟道长度L_(DS)为0......

用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al0.15Ga0.85N/GaN MODFET 的直流特性. 模拟器件的栅极长度Lg为0.2 m, 沟道长度LDS为0.4 m. 在......

RTD(Resonant Tunneling Diode)是一种具有微分负阻效应的纳米器件,具有负阻、双稳自锁、高频高速、低压低功耗等特性。目前关于RT......

用投掷法和有限元差分法计算了单周期调制掺杂GaAs/AlGaAs双量子阱的能带结构,得到基态能级与第一激发态的能级差为43.3 meV,并由......