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弱反局域化效应相关论文
InSb薄膜磁阻效应的厚度依赖性
在12~300K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.......
期刊
锑化铟
磁阻效应
弱反局域化效应
界面/表面态
InSb
magnetoresistance
weak antilocalization effect
s
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