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尖峰和振荡相关论文
基于有源驱动电路SiC MOSFET瞬态性能的分析与优化
与传统的硅(Silicon,Si)器件相比,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)器件因具有更高的阻断电压,更低的导通电阻,更快的开关频率和更优的......
学位
SiC MOSFET
瞬态性能
有源驱动电路
尖峰和振荡
串扰计算与抑制
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