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MOS场效应管自上世纪60年代被研制成功后，因其具有集成度高、功耗低的优点，且截止频率不断提高，现在已被广泛应用于单片射频集成电路......
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提......
介绍了一种宽带D类射频放大模块设计实验过程。给出了放大器的设计原理图，并对放大器设计中的关键参数计算、关键器件选取进行了分......
分析了宽带功率射频放大器的工作原理,介绍了各单元电路的技术实现方法,重点描述了末级电路的设计要素、各部分器件的选用原则及宽......
