GaN基异质结可以在非有意掺杂的情况下产生高电子迁移率、高面密度的二维电子气(two dimensional electron gas,2DEG),以高电子迁......

InAlN/AlN/GaN异质结中,名义上的AlN插入层实为Ga含量很高的AlGaN层, Al, Ga摩尔百分比决定了电子波函数与隧穿几率,因此影响与InA......