实际器件相关论文
用来表示红外投射器辐射输出的等效黑体温度形式上可定义为产生与红外投射器相同信号辐射亮度的黑体目标所设定的温度。给出的解析......
半导体硅是制备集成电路芯片和晶体管的重要材料,用硅制成的特种器件可用于检测光信息,由于其间接带隙的能带结构及禁带宽度仅1.12......
讨论了确定半导体激光器传播模近场分布的一种方法。给出实际器件的测量结果，表明本方法简单、精度较高。
A method of determinin......
在用体接触结构设计的SOI电路中,浮体效应被压制了,但是体串联电阻的存在仍旧在远离体接触的体区产生局部浮体效应。对于数字电路......
一个电压反馈放大器宏模型可以仿真共同效果,如瞬态响应、频率响应、电压噪声和输入/输出压摆率(slewrate)限制。接下来本文将以实......
采用新加坡半导体制备有限公司的0.35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P+-N+-P+-P+-P+-N+-......
对双重干涉效应反射式薄膜光学热光调制器进行了研究，基于双重干涉效应的分析方法，就相关参数对器件调制特性的影响进行了理论分析，并......
Ⅰ.导言在某些空心阴极气体放电中发生的微波振荡能够足够稳定的用于实际器件中。对这种振荡机理进行了研究,以期获得适合工业生......
本文论述一种新发展的,以铱-氧化钡系统为基础的,多孔金属基体扩散阴极的制作技术。海军研究室用表面分析技术测定了许多临界参数,......
本文在单栅GaAsMESFET串联电阻测量方法的基础之上,对双栅GaAsMESFET的串联电阻进行了分析,推导出双栅GaAsMESFET串联电阻的数学解......
x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe光伏型探测器,由于它在77K能够对8～14μm大气“窗口”的辐射有高的探测率,一向受到人们极大关注。光伏型探......
现代机载导弹系统中炮瞄雷达的能力,主要取决于雷达发射机末级的行波放大器。在这类系统中工作的器件,在X波段应能提供高的平均功......
本文提出了应用复变函数的概念,对非规则半导体器件耗尽区进行适当变换,得到了研究非规则反偏pn结区的两维问题的新方法,并应用了......
一、引言达通型硅雪崩光电二极管(Si—RAPD)是一种快速而灵敏的光电检测器。对于短波长(0.85～0.9μm)光纤通讯系统而言,它被公认为......
对于一个理想的模拟开关,它的导通电阻 R_(ON)应为零,关断电阻 R_(OFF)为无穷大,但在实际器件中,总存在着一定的导通电阻和关断电......
工作于8～12μm波段的远红外探测器在遥感、制导、夜视技术等方面有着重要的应用.特别是在海湾战争以后,更加受到各国军方和高科技界......
军用技术正在进入民用市场,但仍然面临着工程技术挑战。
Military technology is entering the civilian market but it still fa......
从我国的实际器件、技术条件出发,通过对电路的科学安排,实现了我国第一台800Mb/s的实验系统。本文介绍了该系统的构成、特点和性......
