多阈值电压相关论文
MRAM磁存储器是一种新型的、基于自旋电子器件的存储器,可以通过外加电压使磁化薄膜中磁矩发生转换,从宏观表现出高阻和低阻这两种......
获得准确的γ能谱对于中子测井技术有着非常重要的意义,核脉冲能谱测量电路是中子测井仪器的信号处理核心电路,本研究将MVT数字化......
得益于不断推陈出新的先进半导体工艺,以及设计流程日臻完善的电子设计自动化工具,使得当今数字集成电路能够一直朝着高复杂度、高......
脉冲中子饱和度测井技术是一种用于油田开发中后期以提高产率的重要测井技术。随着油田的开发进入中后期,井下的油水环境会变得更......
随着工艺技术的进步,如何降低漏电功耗已经成为当前设计的关键。本文以一款高性能DSP芯片为背景,对多阈值电压技术降低漏电功耗......
本文采用90纳米工艺设计实现了应用于无线传感网络中的低功耗处理器.为了减小功耗,文章采用了以下两种方法:门控时钟技术来降低动态......
随着集成电路发展进入深亚微米,功耗问题日益突出。功耗问题带来了一系列不利影响,包括移动设备的应用、电路可靠性及能源问题等。低......
目前,集成电路工艺进入纳米级设计阶段,一些巨大规模的芯片集成度已高达上千亿门。同时,伴随着晶体管的特征尺寸不断缩小,其泄漏电流所......
目前,多阈值电压方法是缓解电路泄漏功耗的有效手段之一.但是,该方法会加重负偏置温度不稳定性(NBTI)效应,导致老化效应加剧,引起......
集成电路的设计是一个追求多设计目标(性能、面积和功耗等)的过程,低功耗已经和面积与性能一样,成为IC设计的重要指标之一.芯片的......
本文从介绍电路功耗的基本概念及相关因素入手,按照VLSI自顶向下的设计流程,从算法、结构、逻辑和物理四个层面,系统全面地分析了......
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采用90nm工艺设计实现了应用于无线传感网络中的低功耗处理器.为了减小功耗,采用了以下两种方法:(1)采用门控时钟技术来降低动态功......
提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB- MT- SOI CMOS: Auto- Bulk- Biased Multi- Threshold......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
随着集成电路的工艺水平进入纳米级时代,负偏置温度不稳定(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)效应引起的老化效应已经......
数字IC的低功耗设计是一个系统问题,必须在设计的各个层次上综合应用不同的设计策略,才能在降低功耗的同时维持较高的系统性能。系......
在纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability, NBTI)效应引起的电路老化成为威胁数字集成电路可......
随着集成电路制造技术的飞速发展,工艺尺寸的缩小以及芯片复杂度的提高,集成电路设计面临着越来越多的挑战。其中,功耗问题尤为突出。......
当今集成电路发展到纳米级工艺,芯片集成度和时钟频率的大幅提高使得功耗成为集成电路设计中日益突出的问题,低功耗技术已成为集成电......
在数字超大规模集成电路(VLSI)设计中,低功耗设计成为越来越备受关注的一个问题,尤其是对于便携式和高性能的系统。当集成电路的工......