开关现象在一些片状和薄膜半导体样品中早巳观察到.但是,迄今为止,尚未见到有关金刚石薄膜开关特性的报道.鉴于金刚石薄膜有着许......

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ｎ－Ｓｉ为衬底，用ＰＥＣＶＤ方法淀积了多晶金刚石薄膜，该薄膜具有很好的发射特性，在６Ｖ／μｍ的电场下，场发射电流为５μＡ。由薄膜场发射的实验曲线计算得到场发射......

该文报道金属--P型金刚石薄膜的肖特基势垒性能。在低阻Si单晶衬底上，用微波等离子体CVD法生长掺硼的多晶金刚石薄膜，用金属与P型金......

近年来激光处理在材料制备和处理领域的地位越来越重要,很多传统加工方法很难或者根本就无法完成的材料处理,激光可以轻而易举的完......

本文用微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜，反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜（SEM）和Raman光谱研究了......

与高免职率和大免职区域的优点，多晶的钻石电影由直接电流(DC ) 准备了喷气化学药品蒸汽免职(CVD ) 被考虑是为高周波、高力量的电......

以n-Si为衬底,用PECVD方法淀积了多晶金刚石薄膜.采用以金刚石薄膜为阴极的二极管结构测试了场发射特性,在6 V/μm的电场下,场发射......

对等离子增强化学气相淀积多晶金刚石薄膜在Ｎ离子注入前后的场发射特性进行研究。研究发现，同一工艺条件下的淀积的多晶金刚石薄膜样......

以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时，薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研......