基面位错相关论文
4H-SiC具有优异的物理与化学性能,是制备新一代电力电子器件的理想材料。近年来,基于4H-SiC半导体的高压高功率器件得到了广泛的研......
纳米孪晶金属优异的综合力学性能源于其独特的塑性变形机制。大量实验测试、计算模拟和理论分析研究结果显示,位错-孪晶界的交互作......
耐热镁合金是一种重要的镁合金体系，实践证明高稳定性的有序结构的耐热镁合金可有效提高合金的高温强度和抗蠕变能力。例如，添加稀土......
学位
轻质镁合金由于高的比强度、比刚度，良好的导热、减震、电磁屏蔽及切削等综合性能，在轻工业领域如汽车产业、各类电子产品以及航空航......
基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm)(0001)Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外......
金属中的微结构,例如晶界、共格孪晶界、非共格孪晶界,经常作为强化金属的主要手段。传统的强化方法一般会降低材料的塑性。共格孪......
学位
通过同质外延生长获得高质量SiC外延层是制造SiC器件的关键步骤。目前，（0001）面沿<1120>方向偏离8°的4H-SiC衬底常被用于4H-SiC的同......
