可动离子相关论文
对真空紫外光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后的高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０１１ｃｍ－２。处理后的特性曲线有明显的滞......
本文提出利用IMA测量介质膜中可动离子漂移迁移率的新方法,并用该方法测量了熔凝玻璃膜中Na~+漂移迁移率,研究了Na~+迁移率与温度......
本工作采用TVS测量技术,系统地研究了铝栅MOS电容中可动离子数目随~(69)Co γ辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。结果表明:辐照后......
半导体表面二氧化硅层中的可动离子对半导体器件,特别是MOS器件的可靠性和稳定性有着极其重要的影响。长期来,人们为了提高半导体......
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文中从化学结构和官能团特性推出了卤元素Si-SiO_2系统中可动离子钝化的模型和氢离子存在状态,满意地解释了有关各种钝化现象。
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本工作利用TSIC和B-T测量研究了经~(60)Coγ射线辐照后MOS结构的SiO_2薄膜中可动离子能量状态和数量的变化。研究表明,辐照后SiO_2......
本文介绍了Si-SiO<sub>2</sub>结构特性与MOS晶体管和集成电路性能参数之间的关系。阐明在集成电路生产过程中MOS C—V技术应用的......
研究了经γ射线辐照后MOS结构的SiO2薄膜中可动离子的能量状态和数量变化.结果表明,辐照后SiO2膜中可动离子的最可机陷阱能量下降,......
