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反常退沟道现象与有效沟道模型
我们在对Ⅱ-Ⅵ族ZnSe/ZnS和Ⅲ-Ⅴ族GaSb/AlSb应变超晶格进行离子束沟道测试中发现,反常退沟道现象与趋晶格的层厚有密切的关系。通常所认为的[110]反常退沟道......
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半导体超晶格
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