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AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究
以氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为代表的Ⅲ族氮化物材料,属于直接带隙宽禁带半导体材料,具有良好的化学和热稳定性。这类半导体以其优异......
学位
AlGaN基材料
日盲探测器
AlN/GaN异质结
双极阻抗开关
非易失性存储
金属有机化学气相沉积
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