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单质合成相关论文
磷化铟纳米线的制备表征及光学性能研究
磷化铟(InP)是重要的III-V族半导体材料,常温下的直接带隙宽度为1.35eV。纳米尺度的InP由于其在电子和光电子器件中的潜在应用引起了......
学位
InP纳米线
CVD
溶剂热法
单质合成
反应机制
光学性能
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