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通过模拟仿真对双波长堆叠的c面InGaN/GaN多量子阱（MQWs）发光二级管的载流子浓度、自发辐射复合率以及极化电场等进行了研究。结果表......
硅作为半导体产业的基石，占据了集成电路领域及太阳能电池领域无可代替的主宰地位。但由于间接带隙，以及俄歇复合、陷阱复合等高非辐......
GaN基LED(发光二极管)作为一种新型的固态光源，具有低功耗，长寿命，高发光效率等优点，在显示、照明和指示方面发挥着越来越大的作用。Ga......
报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,......
利用选择性横向外延生长法可以沿不同的生长方向生长出不同的GaN半极性面,进而可以生长出不同的半极性多量子阱LED结构。这种结构......
GaN基半导体器件的商业化使得当前对III族氮化物的研究发展迅猛。由于III族氮化物带隙可以从0.7eV到6.2eV连续变化,所对应的波长覆......
