化学机械抛光(CMP)后清洗相关论文
有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐......
铜布线化学机械抛光(CMP)后清洗的主要对象是CMP工艺后在铜表面的残留物,包括硅溶胶颗粒、金属离子与有机物残留。采用PVA刷洗的清......