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对AlGaN/GaN HEMT器件进行了高温测试,得到了器件直流、交流特性随着环境温度升高而退化的规律。实验发现,200℃下器件的主要参数......
采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN,GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现：应力后器件主要参数如饱和漏电流IDsat, 跨导峰......
制备了晶格匹配In0.17Al0.83N/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),并通过施加一个持续的应力,研究了器件在不同源漏应力下的退化机制。......
采用不同的高场应力和栅应力对AlGaN/GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现:应力后器件主要参数如饱和漏电流,跨导峰值和阈值电......
