为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SO......

将要引起第二次电子技术革命的智能功率集成电路获得了日益广泛的应用,它的应用范围包括开关电源、电子镇流器、电机驱动、汽车电......

该论文深入分析了TOPSwitch-Ⅱ系列中TOP223的线路(全部的内部线路都在Cadence环境下模拟通过,给出了仿真波形),并对TOP223的工艺......

介绍了一种评估功率LDMOS散热特性的方法.在0.18 μm BCD工艺平台制作了结构相同、叉指数量不同的LDMOS,并进行了TLP测试.通过对物......

为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层（BPL）的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SOI ......

讨论高压LDMOS阈值电压的温度特性，并给出了它的温度系数计算公式．根据计算结果，可以得到以下结论：通过提高沟道掺杂浓度或减少栅氧化......