使用MOCVD技术生长了 980nmVCSEL ,在GaAs/AlGaAsDBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长。白光反......

使用MOCVD技术生长了980 nm VCSEL,在GaAs/AlGaAs DBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长.白光反......

设计并利用MOCVD在(311)GaAs衬底上生长了12.5个周期的Al0.6Ga0.4As/AlAs黄绿光分布式Bragg反射(DBR)体系,测量了白光反光谱及其外......