对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构A1GaN／GaNHEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究．实验表明，凹栅槽结构A1GaN／GaNHEMTs肖特基栅电流......

对AlGaN／GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究，通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4，对Cl2／Ar／C2H4的工艺条件进行了优化，有效地降低......

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本文通过射频磁控反应溅射实现高质量的AlN绝缘栅层,采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀出凹栅槽结构,将MIS结构和凹栅槽结构的优点相结......