在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了......

在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率（fT）的InAlN／GaN异质结场效应晶体管（HFETs）．基于MOCVD外延n＋-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺......