关态泄漏电流相关论文
AlGaN/GaN HEMT的有源区台面间泄漏电流是关态泄漏电主要组成部分,隔离工艺与器件缓冲层材料特性都对有源区间泄漏电流有明显影响.......
随着器件特征尺寸进入亚0.1μm,器件的泄漏电流已开始成为限制电路可靠工作,影响电路功耗的主要因素之一.为了抑制泄漏电流继续传......
选取了采用0．25μm工艺的两组器件进行研究．通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析，得出当器件发展到深亚微......
对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚......
随着MOSFET器件尺寸的成比例缩小,栅氧化层的厚度也不断的减小,泄漏电流成为低功耗和便携用非易失性存储器及CMOS逻辑电路所面临的......
