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高K/金属栅短沟道SOI NMOSFET研究
短沟道MOSFET的SiO2栅介质暴露出栅极泄漏电流过大等严重问题,需要高k材料来代替传统SiO2,但是由于多晶硅栅电极与高k材料结合会出现......
学位
高K/金属栅短沟道
电学特性
栅极结构
关态功耗
输出电流
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