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半导体量子点是一种准零维的纳米材料，其内部载流子在三个维度上均受限，它的态密度呈现分离状态，具有类似于原子的能级结构，通常被称为......
测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T＝77K时的光电流谱，发现在波数～↑υ=1589cm^-1存在一个强电流峰，理论分析认为，该电流峰与超晶格界面的电子......
用非特意掺杂的高阻GaN薄膜研制了MSM结构紫外探测器.研究发现在5 V偏压,365 nm光激发条件下,光电流衰减出现振荡现象;响应时间为......
根据电子干涉理论分析指出：多量子阱结构势垒以上的电子，由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时，量子阱中基态......
利用电容测试法和光电流技术研究了X80管线钢在NaHCO3／Na2CO3缓冲溶液中所成钝化膜的半导体性能和光电流特性，分析了成膜电位、成膜......
一维半导体纳米材料如纳米棒、纳米线和纳米管等因具有独特的物理和化学性能而备受关注,在光敏、气敏、光子集成等各种光电器件中......
