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快闪在当前非易失性半导体存储器市场上占据主流地位。随着闪存工艺进入20nm节点，传统的基于浮栅结构的存储器件，在按比例缩小的过程......
学位
随着45nm和32nm技术节点的来临，传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为......
随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层......
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