互补金属氧化物半导体工艺相关论文
本文提出了一种的电流复用差分低噪声放大器结构.NMOS和PMOS晶体管对复用同一路静态电流.普通的电流复用差分低噪声放大器同时在NM......
本文研究一种基于182nm互补金属氧化物半导体工艺方法的低振动集成锁相环芯片。由鉴相鉴频装置、环形滤波装置、电荷泵装置、压力......
近年来，随着光纤通信的飞速发展，对光接收机的性能要求也越来越高。制备波长响应在1.3μm-1.5μm波段的高响应度、高速率、低噪声的......
红外探测器在军事、工业、医疗等领域具有广泛应用，近年非制冷红外探测器凭借成本低、体积小、功耗低和发展多样等优势成为研究热点......
毫米波频段拥有丰富的频谱资源，适合于高速通信，其中不同的子频带又有不同的大气吸收特性，因而带来了丰富的应用:77 GHz汽车雷达，60 GH......
随着摩尔定律的进一步发展，传统的电互连在延迟，功耗等方面的缺点日益凸显。而物联网、云计算和大数据中心都对互连提出了更高的要求......
伴随无线通信技术的发展，频谱资源日益紧缺，而毫米波的频谱资源相当丰富。因此，目前对毫米波的研究实践已成为全世界的研究热潮。特别......
随着物联网技术的发展,作为其关键技术的射频识别(Radio Frequency Identification, RFID)技术受到了广泛的关注。RFID系统由电子......
在光电技术快速发展的推动下，光电器件得以迅速发展，其在光通信系统、成像系统及军事等领域的应用不断扩大。特别是近年来半导体材料......
设计并实现了用于光纤用户网和千兆以太网光接收机的限幅放大器。电路采用有源电感负载来拓展带宽、稳定直流工作点 ,通过直接耦合......
针对融合射频识别（RFID）的无线温度传感器节点设计的需求,采用0.18μm 1P6M台积电CMOS工艺,设计了一种低功耗集成温度传感器。该温度......
本文提出了一种可编程复接方法和结构,通过对编程端的设置可得到2∶1、3∶1、4∶1及5∶1的复接模式.该方法鲁棒性强、应用范围广,......
在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈技术,提出了一种1-ppm/ °C低压CMOS带隙......
设计并实现了用于光纤用户网和千兆以太网光接收机的限幅放大器.电路采用有源电感负载来拓展带宽、稳定直流工作点,通过直接耦合技......
基于0.6 μm标准N阱CMOS工艺,研究了光敏管的结深及其侧墙结构对有源感光单元的感光面积百分比、光电响应信号幅值、感光灵敏度以......
给出了一种完全基于CM O S工艺的、能同时测量风速和风向的二维测风传感器的结构、工作原理及其测试结果。该传感器采用恒温差工作......
通过分析目前消化道无线内窥镜的发展状况，提出了一种全新的双向、数字化的微型无线内窥镜系统方案设计，该系统具有实时观察病人图像......
采用非对称结构和双悬浮技术设计了射频开关芯片,测试结果表明,工作频率为2.4GHz的射频开关,在发射模式下,插损为-1.18dB,隔离度为......
给出了一个适用于万兆以太网IEEE802.3ae 10GBASE-X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路.该压控振荡器采用TSMC 0.18 μm CMOS......
AmalfiSemiconductor推出前端GSM／GPRS蜂窝手机用CMOS发射模块AM7805／AM7806／AM7807，AM7808。利用体效应互补金属氧化物半导体工艺自身......
针对射频识别技术(RFID)迅猛发展的需求,采用0.35μm CMOS工艺设计并制造了一种集成加速度传感器。加速度传感器单元利用基于深反......
中国科学院物理研究所／北京凝聚态物理国家实验室（筹）的研究人员在高质量石墨烯研究方面取得了一系列突破性进展：提出了基于表面外延的......
采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度。采用TSMC0．18μm RF CMOS模型进行了电路仿真。仿真结果：在电源电压为1．8V时，输入三阶......
针对GPS接收机易受不同传输距离和多路径衰减效应的影响使得接收的信号强度不固定的问题,基于TSMC0.18μm互补金属氧化物半导体(CM......
设计了一种高集成检波器,其包含贴片天线、匹配电路、肖特基二极管和透镜.在中芯国际130 nm工艺下将天线、匹配电路、肖特基二极管......
A radiation hard phase-locked loop (PLL) is designed at 2.5 GHz using silicon on sapphire complementary metal-oxide-semi......
为满足人们高速通信的需求,多载波、宽带已经成为新的发展方向,这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模......
基于反偏雪崩击穿的发光原理，按照Chartered 0．35μm标准CMOS工艺要求，设计并制作了一种Si基光发射器件。在室温下对器件特性进行了初......
分析了由超高速易重用单元构造的树型和串行组合结构,实现了在输入半速率时钟条件下10路到1路吉比特率并串转换.通过理论推导着重......
