对锗衬底进行NH 3和N 2混合等离子体(V(NH3)∶V(N2)=5∶1)原位预处理,其自然氧化层GeOx反应生成GeOyNz。XPS结果显示,随着预处理时......

研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存储单元的阻变特性和机理.该器件具有forming-free的性质,还表现出与以往HfO2(3 nm)基器件不同的复杂的......

Hafnium dioxide (HfO2) thin films are prepared by rf magnetron sputtering. The influences of rf power on the structure, ......

光学薄膜是激光系统的关键部件，研究薄膜的残余应力是非常重要的。薄膜应力是薄膜生产、制备中的一种普遍现象，几乎所有的薄膜都处于......

几乎所有的薄膜都处在某种应力之中，残余应力的存在会对膜基体系产生有害影响，它会弱化膜基结合力，降低元件使用性能。薄膜的应力状态......

CMOS器件按比例缩小要求SiO2绝缘层厚度越来越小，导致栅极漏电流急剧增加，器件的可靠性下降。高介电常数栅介质二氧化铪（HfO2）的应用可......

光学薄膜是许多现代光学元件和光学系统中不可缺少的组成部分，其质量的好坏直接影响光学薄膜元件及光学系统的性能。高功率激光技术......

利用离子束辅助沉积方法制备单层二氧化铪薄膜,对薄膜样品的折射率、吸收特性进行了研究。实验结果表明,薄膜特性与制备工艺参数有......

研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9nm的超薄MOS电容。当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象......

分别采用电子束蒸镀、离子束辅助沉积、离子束反应辅助沉积、双离子束溅射技术制备了二氧化铪薄膜,研究了薄膜的光学特性、缺陷、......