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GaN开关类功率放大器温度特性的研究
[期刊论文] 作者：林倩,贾国庆, 来源：微波学报 年份：2018
为了研究GaN开关类功率放大器(PA)的温度特性,通过开展一系列的温度测试来研究温度变化对该GaN PA各个性能参数的具体影响.测试结果表明:首先,较高的温度(＞80℃)会使GaN HEMT...
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