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[报纸论文] 作者：刘北平, 李晓良, 朱海波,,
来源：半导体学报 年份：2006
采用Cl2/He对GaN基片进行感应耦合等离子体刻蚀,并比较了相同条件下使用Cl2/He,Cl2/Ar对GaN基片进行刻蚀的优劣.实验中通过改变ICP功率、直流自偏压、气体总流量和气体组分等...
[报纸论文] 作者：吴晨,,
来源：南京邮电大学 年份：2020
生成式对抗网络(Generative Adversarial Networks,GAN)是深度学习中的热门研究方向,其研究成果日新月异,并且GAN与其他领域的交叉应用也越来越广泛。...本文针对GAN生成图像质量较低以及梯度消失和模式崩溃等问题,在Wasserstein GAN(WGAN)的基础上进行了研究,并对循环生成式对抗网络(Cycle Consistent Generative...
[报纸论文] 作者：,
来源： 年份：2004
而氮化镓(GaN)拥有极高的稳定性,它的熔点约为1700℃。作为目前是最优秀的半导体材料之...
[报纸论文] 作者：许明明,,
来源：合肥工业大学 年份：2004
以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件相比于传统Si器件,具有高击穿电压、高饱和漂移速度、高工作频率以及高工作结温等优点,可以大幅改善电力电子系统的性能。本文以SiC MOSF...
[报纸论文] 作者：盛况, 任娜, 郭清, 杨树,,
来源： 年份：2004
在全球低碳节能环保的大环境下，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料凭借其高效率、高密度、高可靠等优势，发挥出越来越重要的作用。$$第三代半导体材料优势明显$$...
[报纸论文] 作者：胡晓军,,
来源： 年份：
尽管已有心理准备，但当宣布“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获得2015国家技术发明奖一等奖的时候，与会的南昌大学副校长、国家硅基LED工程技术研究中心主任江风益的眼...
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