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[会议论文] 作者：詹玉香,陈艳峰,张波,
来源：中国电源学会第二十届学术年会 年份：2013
忆阻器是一种具有记忆功能的非线性二端口电路元件.根据忆阻器的数学模型,利用Simulink建立其仿真模型,并分析不同参数对忆阻器模型的影响,得到关于忆阻器的典型动态特性,从而验证模型的有效性....
[会议论文] 作者：詹玉香[1]陈艳峰[2]张波[2],
来源：中国电源学会第二十届学术年会 年份：2013
忆阻器是一种具有记忆功能的非线性二端口电路元件.根据忆阻器的数学模型,利用Simulink建立其仿真模型,并分析不同参数对忆阻器模型的影响,得到关于忆阻器的典型动态特性,从...
[会议论文] 作者：范鹤鹤,陈进才,
来源：第19届全国信息存储技术学术会议 年份：2013
自惠普实验室于2008年5月研制出世界首个忆阻器,许多科研工作者投入到对忆阻器的研究中.从最初的单纯非易失性存储器到基本逻辑操作,再到人工神经网络应用,关于忆阻器的研究...
[会议论文] 作者：吴红亚,周济,
来源：中国电子学会第十七届电子元件学术年会 年份：2014
研究了硫化银(Ag2S)块体材料中的忆阻现象.循环伏安法测试结果表明所制备的样品具有稳定的Ⅰ-Ⅴ回线,高低阻态的电阻比将近100.提出了基于界面氧化还原反应的忆阻机制....
[会议论文] 作者：朱志勇;陆益民;,
来源：中国电源学会第二十届学术年会 年份：2013
本文将二次函数描述的磁控忆阻器模型通过二端口网络参数将其转变为忆容器模型,提出了该忆容器的电路实现方案,实验结果表明在输入正弦信号时该电路的特性曲线与忆容器的q-v...
[会议论文] 作者：韦兆华, 丘东元, 张波,,
来源： 年份：2004
忆阻器是电路中除电阻、电容、电感的第四种基本元件。本文研究了忆阻器的定义和惠普公司忆阻器的特性,在这基础上对两种现存的两种忆阻器的电路模型进行了研究,分析并比较了...
[会议论文] 作者：陈国太,
来源：第九届陈元光文化论坛论文集 年份：2022
＜正＞陈元光文化研究离不开包括对《颍川开漳陈氏族谱》等豫、闽、粤颍川陈氏族谱相关资料的研究和使用。...但豫、闽、粤颍川陈氏族谱编者众多,版本各异,门派林立,逐年抄传,质量良莠不齐,资料中关于陈元光其人其事的有些记载说法不一。...加之,族谱乃私人密撰,自说自话,并无官家、邻人、名贤评审把关,自古有"附会名贤,侈陈德业""谬讬贤哲,私鬻宗谱,以伪乱真,悠谬恍惚"之弊端。因此需要认真鉴别真伪和正确的使用。在研究...
[会议论文] 作者：刘燕,徐华,管红珍,
来源：2006第六届中国药学会学术年会 年份：2006
目的:研究影响忆美尔颗粒剂制备的各种因素,确定最佳提取工艺条件.方法:用正交实验L9(34)设计安排实验,分别以干浸膏、异秦皮啶含量为考察指标,优选忆美尔颗粒剂提取工艺.结...
[会议论文] 作者：杨方旭;董焕丽;赵强;崔阿娟;甄永刚;胡文平;,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
忆阻器可以调节历史通过电量改变它的电阻状态,理想的忆阻器可以实现无数阻态的连续调控,使其在超高密度存储器和模拟人脑器件领域有着广泛的应用[1]。近些年无机忆阻领...
[会议论文] 作者：王光义;蔡博振;靳培培;胡体玲;,
来源：杭州电子科技大学第八届研究生IT创新学术论坛 年份：2015
忆容器是一种具有记忆效应的新型电容器。在实际忆容器尚未出现的情况下，为探索忆容器及其在非线性电路中的特性，建立了一种荷控忆容器数学模型及其等效电路模型，基于该模型...
[会议论文] 作者：,
来源：电子与信息学报 年份：2020
采用非理想有源电压控制忆阻器和磁通控制型光滑3次非线性忆阻器，该文设计了一种不含电感的简单(只含5个电子元器件)双忆阻混沌电路。采用常规的非线性分析手段详细研究了电路...
[会议论文] 作者：杨少芳,
来源：2007年全国生化与生物技术药物学术年会 年份：2007
目的：研究影响忆美尔颗粒剂制备的各种因素,确定最佳提取工艺条件。方法：采用正交实验L9(3)设计安排实验,分别以干浸膏、异秦皮啶含量为考察指标,优选忆美尔颗粒剂提取工艺。...结果：忆美尔颗粒剂最佳提取工艺为ABCD。结论：该方法可用于忆美尔颗粒剂的工业化生产。...
[会议论文] 作者：陈达谦,于水,
来源：2003红坯陶瓷砖研讨会 年份：2003
本文是一篇倡导性文章.由我国墙地砖产业的发展,引出粘土资源问题,因而要求转变观念,利用红坯生产中高档墙地砖,因地制宜,建立坯料集中生产基地,促进红坯墙地砖的推广,文章最...
[会议论文] 作者：俞亚娟,
来源：第十五届全国非线性振动暨第十二届全国非线性动力学与运动稳定性学术会议 年份：2015
HP TiO2 线性杂质漂移模型是研究最为广泛的忆阻模型。...研究发现，线性HP TiO2忆阻元件不能记住器件边界效应，器件的一些独特的特性不能有上述线性模型如实反映，从而线性HP TiO2 忆阻元件的记忆应介于无记忆与理想记忆之间。...
[会议论文] 作者：詹玉香,陈艳峰,张波,张文浩,
来源：第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会 年份：2015
本文介绍了一种忆感器的数学模型，并对其相关动力学特性进行了研究。为了将忆感器应用到相关电路中，根据其数学模型，搭建了SPICE 电路模型，并对该模型进行了仿真研究，证明了其...
[会议论文] 作者：郭晓君[1]刘思峰[2],
来源：第28届全国灰色系统学术会议 年份：2016
为了全面提高复杂装备费用的合理使用度，构建了复杂装备费用测算的灰色自忆性组合模型，借助自忆性预测技术来提高其预测精度。该模型通过有机耦合自忆性原理与传统灰色模型...
[会议论文] 作者：蔡坤鹏,李勃,周济,
来源：中国电子学会第十六届电子元件学术年会 年份：2010
忆阻器被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件，凭借其特有的电路特性正引起人们广泛的关注。本文阐述了忆阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程、实现忆阻功能的几...
[会议论文] 作者：Fang Xu-dong,Wu Jun-jie,Zhou Hai-fang,方旭东,吴俊杰,周海芳,
来源：第18届全国信息存储技术学术会议 年份：2012
基于忆阻器的存储和运算研究正受到越来越多的重视。采用忆阻器高效地实现异或逻辑操作可以提高基于忆阻器的逻辑运算的效率，从而为构建更复杂的阻态运算做准备。在已有的...
[会议论文] 作者：Fang Xu-dong,方旭东,Wu Jun-jie,吴俊杰,Zhou Hai-fang,周海芳,
来源：第18届全国信息存储技术学术会议 年份：2012
基于忆阻器的存储和运算研究正受到越来越多的重视。采用忆阻器高效地实现异或逻辑操作可以提高基于忆阻器的逻辑运算的效率，从而为构建更复杂的阻态运算做准备。在已有的...
[会议论文] 作者：周静,吴俊杰,方旭东,黄达,朱玄,易勋,王之元,
来源：2012全国计算机体系结构学术年会 年份：2012
忆阻器是近几年才发现的一种新的纳米尺寸电路元件，具有记忆特性、非易失性、密度高等良好特性，已经成为国际上的研究热点。目前针对忆阻器的研究主要集中在两个方面：一是对...
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