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[会议论文] 作者：钱佩信,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：张鹏飞,钱佩信,林惠旺,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：张鹏飞,柳连俊,钱佩信,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：林惠旺,钱佩信,张敬平,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：钱佩信,侯东彦,陈必贤,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：徐阳,王飞,许军,刘志弘,钱佩信,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文使用清华大学微电子学研究所自主研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/Poly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏...
[会议论文] 作者：黄文韬,刘志农,罗光礼,陈培毅,钱佩信,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
利用超高真空气相外延(UHV/CVD)设备SGE400生长了有弛豫缓冲层的SiGeMOSFET材料.采用多种手段分析了材料的生长速率、生长质量.结果证明SGE400系统可以较好控制Ge的组分,并得...
[会议论文] 作者：王敬,梁仁荣,徐阳,刘志弘,许军,钱佩信,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文利用减压化学气相沉积技术,制备出应变硅/Si0.85Ge0.15/组分渐变SiGe/Si衬底结构.通过控制组分渐变SiGe层的组分梯度,以及适当优化固定组分Si0.85Ge0.15层的外延生长工艺...
[会议论文] 作者：孟祥提,黄强,王吉林,贾宏勇,陈培毅,钱佩信,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0.5 V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiG...
[会议论文] 作者：罗广礼,黄文韬,史进,黎晨,陈培毅,钱佩信,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
利用UHV/CVD设备自组织生长了Ge量子点.结果显示生长温度对量子点的尺寸、形状和分布有较大影响.550℃和600℃下生长的Ge量子点呈现为两种典型的尺寸,量子点密度都高于10/cm,...
[会议论文] 作者：陈培毅,黎晨,史进,罗广礼,黄文韬,钱佩信,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文介绍了SiGe HMOSFET器件的研制结果,显示SiGe HMOSFET器件性能明显优于纯硅器件....
[会议论文] 作者：许向东,郭福隆,周卫,张兆健,鲁勇,张伟,刘志弘,钱佩信,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
应变硅是新一代超高速材料,是当前微电子学的研究热点.高驰豫的锗硅缓冲层在应变硅的制备中起重要作用.目前,驰豫锗硅的生长主要采用递增锗浓度的方法,其缺点是锗硅层厚达数微米、加工难度大、器件性能不稳定.本文通过离子注入硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真......
[会议论文] 作者：雒睿,张伟,李高庆,周卫,徐阳,蒋志,李希有,付玉霞,钱佩信,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了双胞10叉指集电极上引出结构的SiGe HBT，其BVCBO和BVCEO分别为11V和6V，Early电压为37v。在Ic=40mA，Vce=4V的条件下，测得其截止频率fT可达22GHz，最高振荡频率可达12.8GHz(未作去嵌入)。...
[会议论文] 作者：张伟,熊小义,刘志弘,许军,付玉霞,单一林,刘爱华,窦维治,王玉东,刘朋,钱佩信,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5"圆片0.8umCMOS...
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