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[会议论文] 作者：郑惟彬,黄庆安,金玉丰,李拂晓,
来源：第五届全国微米/纳米技术学术会议 年份：2001
目前对MEMS开关和移相器的研究非常活跃.但是大部分的研究工作都集中在设计不同形状的开关结构和开关制作上,对开关静电力模型的研究还十分不够.文章利用材料力学知识,通过合理的假设和简化,推导出双晶结构梁膜式开关的静电力解析模型,并详细讨论了开关阈值电压......
[会议论文] 作者：郑惟彬,孔月婵,陈堂胜,陈辰,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
在详细分析GaN异质结构中自发极化和压电极化的基础上,本文利用Silvaco软件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,数值计算了GaN器件结构对2DEG影响。通过模拟计算,不仅研究了GaN...
[会议论文] 作者：柏松;蒋幼泉;陈辰;陈刚;冯忠;钱峰;陈征;吴鹏;任春江;李哲洋;郑惟彬;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和删TC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研...
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