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[会议论文] 作者：修显武,裴素华,孙海波,
来源：2002年中国材料研讨会 年份：2002
Ga,B扩散制得高反压晶体管普遍存在有负阻现象,而Ga基区晶体管负阻较为明显;本文借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对Ga,B元素在SiO-Si界面中的分凝特性进行研...
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