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[会议论文] 作者：苏旭军,成云飞,唐前进,武志宗,
来源：第六届中国标准化论坛 年份：2009
目前我国防爆安检产品技术与国外差距在逐步缩小，产业已达到一定规模。但由于产品标准滞后，缺乏有效的合格评定与市场准入制度，导致市场无序或不公平竞争，影响了产业的进一步发展......
[会议论文] 作者：顾仁康,倪卫冲,贾明雁,苏旭军,
来源：全国第六届核监测学术研讨会 年份：2005
航测转换因子刻度是航空放射性测量技术难点之一.为了解决转换因子刻度的难点,应用理论与实验方法进行了研究,建立了虚拟源模型,用木板模拟空气层衰减、用小面源叠加模拟大面...
[会议论文] 作者：刘宗亮,任国强,苏旭军,王建峰,徐科,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
GaN单晶衬底在Ⅲ-Ⅴ族半导体器件方面,具有重大的意义和广阔的应用前景。为了进一步提高功率器件的性能和可靠性,需要采用极低缺陷密度单晶GaN衬底。目前,GaN体单晶的主要生长方法有HVPE、氨热法、高压熔液法和Na Flux法。其中,Na Flux法是一种近热力学平衡条件......
[会议论文] 作者：任国强,王建峰,苏旭军,刘宗亮,徐科,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
当前,GaN基器件在高温、高频率、高功率密度的微电子器件和可见区短波段及紫外波段的光电子器件应用领域展现了巨大的优势.然而目前GaN器件主要采用蓝宝石衬底,通过异质外延方法制作,存在较大的晶格适配和热适配,得到的GaN外延层位错密度高,限制了GaN器件的产业......
[会议论文] 作者：尹国辉;贾明雁;马怀成;苏旭军;王亚云;,
来源：2007年全国核与辐射设施退役学术研讨会 年份：2007
放射性污染源项调查是污染场址治理的基础和前提.源项调查成果的应用价值,在很大程度上取决于调查所获数据资料的可信度,而可信度高低依赖于源项调查过程的质量保证.在某大面...
[会议论文] 作者：王善强,张旭东,肖敏芝,贺凯,李润新,苏旭军,
来源：全国第六届核监测学术研讨会 年份：2005
一般地讲,大区域放射性污染场地是指发生重大核事故、遭受核袭击、遭受核和辐射恐怖袭击或进行核武器试验后所造成的污染场地.针对大区域放射性污染场地具有污染面积大、污染类型多、污染形式复杂等方面的源项特点,介绍了大区域放射性污染场地源项调查基本技术......
[会议论文] 作者：尹国辉,苏旭军,马怀成,贾明雁,王亚云,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
质量管理是源项调查的重要组成部分,它为源项调查达到总体技术方案的质量目标提供了基本保障.在某大面积多核素污染场址放射性源项调查中,采取了分项目质量控制、内部审核、外部监理、样品比对及专家指导等方法,对方案设计、人员操作、设备技术状态、测量技术状......
[会议论文] 作者：苏川英, 冯天成, 黄雄亮, 龙斌, 贾明雁, 苏旭军,,
来源： 年份：2009
车载放射性扫描测量系统能够对放射性分布进行直接、快速的扫描测量,用以表征现场放射性分布趋势、寻找并划定"热点/热区"位置和大小、初步确定污染范围与污染边界。本文针对...
[会议论文] 作者：任国强[1]王建峰[2]苏旭军[1]刘宗亮[1]徐科[1],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
当前,GaN基器件在高温、高频率、高功率密度的微电子器件和可见区短波段及紫外波段的光电子器件应用领域展现了巨大的优势.然而目前GaN器件主要采用蓝宝石衬底,通过异质外延...
[会议论文] 作者：王善强[1]张旭东[2]肖敏芝[1]贺凯[1]李润新[1]苏旭军[2],
来源：全国第六届核监测学术研讨会 年份：2005
一般地讲,大区域放射性污染场地是指发生重大核事故、遭受核袭击、遭受核和辐射恐怖袭击或进行核武器试验后所造成的污染场地.针对大区域放射性污染场地具有污染面积大、污染...
[会议论文] 作者：苏旭军;徐俞;张敏;曾雄辉;牛牧童;任国强;王建峰;张锦平;徐科;,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
Hydrochloric acid(HCl) etching was applied to N-polar GaN surface prepared by nature cleaving of bulk GaN crystal.It was found that N-polar surface was feat...
[会议论文] 作者：刘婷;徐科;苏旭军;黄俊;弓晓晶;牛牧童;张锦平;曾雄辉;王建峰;张纪才;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
纤锌矿结构的AlN(氮化铝)的禁带宽度为6.2eV,具有高热导率、高电阻率等优异性能,与高Al组份的AlGaN材料晶格失配小,是一种研制紫外、深紫外光电器件、高温大功率电子器件...
[会议论文] 作者：刘婷,张纪才,徐科,苏旭军,黄俊,牛牧童,赵晶晶,刘雪华,张锦平,曾雄辉,王建峰,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
AlN(氮化铝)的禁带宽度为6.1eV,具有高热导率、高电阻率等优异性能,与高Al组份的AlGaN材料晶格更匹配,是一种研制紫外、深紫外光电器件、高温大功率电子器件和高频微波器件的理想材料[1-2],在导弹探测、保密通讯等军事领域,以及医学治疗、污染处理、高密度数据......
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