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[会议论文] 作者：玛丽娅,
来源：庆祝中国科技情报学会恢复活动20周年学术会议 年份：1998
该文通过对巴州信息咨询服务业现状的探讨，提出了巴州在面临前所未有的发展机遇面前，如何加强信息咨询服务业，为巴州经济建设服务的相应对策。...
[会议论文] 作者：玛丽娅,热依拉,玛依拉,
来源：2008年全国医学影像(杭州)学术研讨会 年份：2008
本文回顾性分析2003年元月-2007年2月间103例盆腔积液的临床资料,总结了各种疾病引起的超声图像特征,探讨如何区分积液的性质及积液与疾病的关系,为临床诊治提供可靠依据。...
[会议论文] 作者：陈文捷,吐尔逊古丽,玛丽娅,
来源：中华护理学会第5届全国消毒供应中心发展论坛 年份：2009
危重病人的抢救，离不开呼吸机，而呼吸机管路清洗和管理技术在一些医院一直是有毗漏，以前呼吸机管路都是临床护士手工清洗，悬挂在治疗室自然晾干，这样清洗出来的管路即达不到消毒的......
[会议论文] 作者：文林,汪波,玛丽娅,李豫东,郭旗,任迪远,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
针对空间辐射导致CCD产生的位移损伤效应，采用IOMeV质子对典型的埋沟CCD器件进行了辐照实验，测试了器件的暗电流、暗电流非均匀性、电荷转移效率、饱和电压等参数的在辐照器件...
[会议论文] 作者：文林,李豫东,郭旗,任迪远,汪波,玛丽娅,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
针对空间辐射导致CCD产生的位移损伤效应，采用IOMeV质子对典型的埋沟CCD器件进行了辐照实验，测试了器件的暗电流、暗电流非均匀性、电荷转移效率、饱和电压等参数的在辐照器件及辐照后退火实验中的变化情况。分析发现，10MeV质子辐射导致CCD暗电流、暗电流均匀性显......
[会议论文] 作者：汪波, 李豫东, 郭旗, 刘昌举, 任迪远, 文林, 玛丽娅,
来源： 年份：2004
为研究某国产0.5μmC MOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体）N阱工艺CMOS有源像素传感器（CMOS Active Pixel Sensors简称CMOS APS）的电离总剂量效...
[会议论文] 作者：汪波, 李豫东, 郭旗, 刘昌举, 任迪远, 文林, 玛丽娅,,
来源：第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集 年份：2014
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[会议论文] 作者：曾骏哲,何承发,李豫东,郭旗,文林,汪波,玛丽娅,王海娇,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
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[会议论文] 作者：玛丽娅;李豫东;郭旗;艾尔肯;王海娇;文林;汪波;曾骏哲;,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
对InGaAs/InP材料进行了1MeV电子束辐照,注量为5×1012cm-2～9×1014cm-2.样品选取量子阱材料和体材料,在辐照前后,对样品进行了PL谱(光致发光谱)测试,得到了不同结构InGaAs/In...
[会议论文] 作者：曾骏哲,何承发,李豫东,郭旗,文林,汪波,玛丽娅,王海娇,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
应用蒙特卡罗方法模拟计算了质子入射科学级电荷耦合器件(Charge-coupled Device,简称CCD)结构中的能量沉积,并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验,分析了器件的辐射损伤机理...
[会议论文] 作者：玛丽娅,李豫东,郭旗,艾尔肯,王海娇,文林,汪波,曾骏哲,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
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[会议论文] 作者：汪波,李豫东,郭旗,文林,刘昌举,孙静,曾骏哲,玛丽娅,王海娇,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
为研究CMOS有源像素传感器的质子辐照损伤效应,对某国产0.5μm工艺制造的CMOS有源像素传感器进行了10MeV质子辐照试验.当辐照注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量测试了器件暗信号的变化情况.试验结果表明：随着辐照注量的增加暗信号迅速增大.在退火试......
[会议论文] 作者：汪波,李豫东,郭旗,刘昌举,文林,任迪远,玛丽娅,王海娇,曾骏哲,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
通过10MeV质子辐照试验，研究了CMOS有源像素传感器(CMOS Active Pixel Sensors 简称CMOS APS)的辐射损伤效应，结合器件结构和工艺参数，深入分析了参数退化的物理机理.结果显示：随着质子注量的不断增大暗信号和暗信号非均匀性显著退化，暗信号的增大既有电离损伤效应产......
[会议论文] 作者：汪波,曾骏哲,李豫东,郭旗,文林,任迪远,刘昌举,玛丽娅,施炜雷,王海娇,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
本文对某国产0.5μmCMOS N阱工艺制造的CMOS APS进行了中子辐照试验,研究了器件的位移损伤效应.当中子辐照注量达到预定注量点时,采用移位的测试方法,定量测试了器件的暗信号、暗信号非均匀性、饱和输出信号等参数的变化情况;试验结果表明,暗信号和暗信号非均匀......
[会议论文] 作者：汪波[1]李豫东[1]郭旗[1]文林[1]刘昌举[2]孙静[1]曾骏哲[1]玛丽娅[1]王海娇[1],
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
为研究CMOS有源像素传感器的质子辐照损伤效应,对某国产0.5μm工艺制造的CMOS有源像素传感器进行了10MeV质子辐照试验.当辐照注量达到预定注量点时,采用离线的测试方法,定量...
[会议论文] 作者：汪波[1]李豫东[1]郭旗[1]刘昌举[2]文林[1]任迪远[1]玛丽娅[1]王海娇[1]曾骏哲[1],
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
通过10MeV质子辐照试验，研究了CMOS有源像素传感器(CMOS Active Pixel Sensors 简称CMOS APS)的辐射损伤效应，结合器件结构和工艺参数，深入分析了参数退化的物理机理.结果显...
[会议论文] 作者：汪波[1]曾骏哲[1]李豫东[1]郭旗[1]文林[1]任迪远[1]刘昌举[2]玛丽娅[1]施炜雷[1]王海娇[1],
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
本文对某国产0.5μmCMOS N阱工艺制造的CMOS APS进行了中子辐照试验,研究了器件的位移损伤效应.当中子辐照注量达到预定注量点时,采用移位的测试方法,定量测试了器件的暗信号...
[会议论文] 作者：阿不都卡德尔·阿不都克尤木,麦麦提依明·马合木提,库尔班江·肉孜,玛丽娅·马木提,阿布力孜·伊米提,
来源：中国科协第六届青年学术年会卫星会议-新疆第六届青年学术年会暨首届博士生论坛 年份：2006
本实验结果表明，甲基绿作为敏感层，固定在K+交换玻璃光波导表面制备出的光波导HZS气体检测元件，对HZS气体具有可逆响应并响应速度快(小于5 s)，灵敏度高(检出限低于0.03 mg/m3)等...
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