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[会议论文] 作者：王义元,王红杰,马正飞,
来源：第五届全国化工年会 年份：2008
采用异丙醇铝为铝源,环己胺为模板剂合成了SAPO-5分子筛。用CuCl与hSAPO-5 进行了固相离子交换并考察了交换后分子筛的CO吸附性能。在配比远高于单层分散容量下离子交换后进...
[会议论文] 作者：王义元,赵志明,柳征勇,
来源：第四届中国航天质量论坛 年份：2013
分析了空间辐射环境对航天器线性电路形成的典型辐射效应,总结归纳了各种效应的损伤模式,讨论其对电路系统可靠性的影响;最后提出相应的提高可靠性应用的设计方法,供设计人员...
[会议论文] 作者：王义元,王红杰,马正飞,
来源：第五届全国化学工程与生物化工年会 年份：2008
采用异丙醇铝为铝源,环己胺为模板剂合成了SAPO-5分子筛.用CuCl与HSAPO-5进行了固相离子交换并考察了交换后分子筛的CO吸附性能.在配比远高于单层分散容量下离子交换后进行了高温抽真空处理(600℃,6×10-2pa),随着处理时间的增加,分子筛的吸附能力有所增强,但时......
[会议论文] 作者：罗宇婷,陈玉平,王义元,徐玉明,
来源：2015第十届全国体育科学大会 年份：2015
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[会议论文] 作者：李鹏伟,郭旗,任迪远,于跃,王义元,高博,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
基于线阵商用CCD器件，开展了60Coγ射线不同剂量率的辐照实验和室温退火研究。分别考察了CCD的功耗电流、复位电压，光响应灵敏度和电荷转移效率等参数的变化。结果表明所测量的...
[会议论文] 作者：王义元,陆妩,任迪远,郑玉展,高博,陈睿,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
为研究三端稳压器在60Co γ环境中的性能变化和抗总剂量特征,对电子系统中通用的集成三端稳压器(固定正输出L7805C、负输出L7905C、可调正输出LM317、可调负输出LM337)在不同负载条件下进行60Coγ电离辐照试验.试验结果发现稳压器的输出电压、最大负载电流等都......
[会议论文] 作者：高博, 余学峰, 任迪远, 刘刚, 王义元, 孙静, 文林,,
来源： 年份：2004
研究了不同辐射偏置条件下国产N沟VDMOS器件的总剂量辐射损伤及退火效应。探讨了阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻等随累积剂量、退火时间的变化关系。实验表明:随着累...
[会议论文] 作者：王义元;陆妩;任迪远;郑玉展;高博;李鹏伟;于跃;,
来源：第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2008
通过对国产双极数模转换器在60COγ射线的高低剂量率的辐照实验和室温退火实验的对比分析，发现国产数模混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有很大差异。这种混合电路不...
[会议论文] 作者：郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,陈睿,费武雄,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
对分别处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器进行了高低剂量率辐照.所获得的实验结果表明,工作状态影响着JFET 运放电路的辐射效应和辐射损伤.正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应.高剂量......
[会议论文] 作者：高博, 余学峰, 任迪远, 刘刚, 王义元, 孙静, 文林, 李,
来源：中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集（第 年份：2009
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[会议论文] 作者：郑玉展,陆妩,任迪远,郭旗,学锋,吕晓龙,王义元,
来源：第十四届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2008
本文研究了NPN晶体管在高低电子通量下的辐射效应。研究结果发现，不同电子通量下辐照到相同电子注量，对NPN晶体管造成的辐照损伤不同.低电子通量辐射下，晶体管的损伤明显大于高通量下的辐照结果，这与60COγ辐射下的低剂量率辐射损伤增强效应相类似。文中对出现这一......
[会议论文] 作者：陆妩,任迪远,郭旗,余学峰,何承发,郑玉展,王义元,
来源：第十三届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2009
对国产NPN双极晶体管在不同剂量率下的辐射效应和退火特性进行了研究.结果显示:在不同剂量率辐照下,NPN晶体管的特性衰降均非常明显.不仅晶体管的过剩基极电流明显增大,直流...
[会议论文] 作者：郑玉展,陆妩,任迪远,王义元,郭旗,余学锋,何承发,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
影响NPN晶体管辐射损伤的因素有很多，如晶体管工艺，剂量率以及辐照偏置等。本文主要研究了三种发射极面积的国产NPN晶体管高低剂量率下的辐射损伤特性，分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明国产NPN晶体管具有低剂量率辐照损伤敏感性增强效应，且发现小电流......
[会议论文] 作者：胥佳灵,陆妩,王义元,吴雪,胡天乐,卢健,张乐情,于新,
来源：2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2011
本文研究了10位模数转换器在不同偏置条件下的电离辐射效应及其退火特性。研究结果表明：模数混合信号电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与零偏和加电阻偏置相比，加电偏置下高剂量率辐照时，模数转换器各功能参数损伤变化更加严重，加电阻偏置参数变化......
[会议论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,崔江维,李茂顺,李明,王义元,
来源：第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会 年份：2010
本文从FPGA器件内部最丛本的CMOS单元出发，分析了器件功能失效时反相器输出波形随累积剂量的变化关系，进而研究Altera SRAM型FPGA器件60Co γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应。实验结果表明：由于场氧漏电和结构漏电的影响，随着累积剂量的增加输出波形发生畸变，峰峰值......
[会议论文] 作者：高博,王义元,李鹏伟,于跃,李茂顺,崔江维,余学峰,任迪远,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不...
[会议论文] 作者：陈睿,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,陆妩,任迪远,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加...
[会议论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,王义元,李鹏伟,于跃,李茂顺,崔江维,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
本文研究了Altera SRAM型FPGA器件60Coγ辐照后的总剂量辐射损伤及退火效应.通过不同模块实现相同的分频功能，比较了不同模块输出波形随总剂量、退火时间的变化关系；通过实现不同源程序所需的模块不同，并比较了不同源程序功耗电流随总剂量、退火时间的变化关系，详细......
[会议论文] 作者：陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元,费武雄,李茂顺,兰博,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其损伤机理进行了初步的探讨.......
[会议论文] 作者：王义元[1]陆妩[2]任迪远[2]高博[1]席善斌[1]许发月[1],
来源：第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会 年份：2010
为对工作在空间电离环境中稳压器的电离总剂量及剂量率效应进行研究,选择一种常用的低压差线性稳压器进行了不同偏置的高低剂量率的电离辐照和退火实验。本文结合电路特征和...
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