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[会议论文] 作者：廉大桢,陈勘,李培咸,王省莲,
来源：第十三届全国LED产业发展与技术研讨会 年份：2012
为了提高LED发光二级管芯片制造过程中的工艺技术水平，降低产品损失，西安中为光电科技有限公司在近几年的产品实现过程中策划了一系列改进活动。本文运用6 σ管理理念和统计过程控制分析方法，综合分析了公司在LED发光二级管芯片薄片制造过程中产品损失的主因，研磨碎......
[会议论文] 作者：杨晓蕾,赵胜雷,马晓华,李培咸,
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
利用2D-ATLAS对AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压进行仿真,同时为实现半绝缘缓冲层,在GaN缓冲层中引入能级为EDA=EC-2.85eV的深能级受主和能级为EDD=EV+2.9eV的施主.仿真得到,器件击穿电压随钝化层介电常数的增加呈现增大的趋势,当介电常数为30时击穿电压达到346V.......
[会议论文] 作者：杨晓蕾[1]赵胜雷[2]马晓华[1]李培咸[1],
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
利用2D-ATLAS对AlGaN/GaN HEMT器件的击穿电压进行仿真,同时为实现半绝缘缓冲层,在GaN缓冲层中引入能级为EDA=EC-2.85eV的深能级受主和能级为EDD=EV+2.9eV的施主.仿真得到,器...
[会议论文] 作者：蔡茂世,郝萌,李培咸,马晓华,周小伟,许晟瑞,郝跃,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本文主要介绍了热退火对Mg掺杂的A10.25Ga0.75N的影响。我们研究了不同的退火温度对表面形貌,材料质量以及电性能的影响,并且在室温下得到了电阻率为4.37Ω·cm的样品结果。...
[会议论文] 作者：蔡茂世,李培咸,马晓华,周小伟,许晟瑞,郝萌,郝跃,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本文主要介绍了热退火对Mg掺杂的A10.25Ga0.75N的影响。我们研究了不同的退火温度对表面形貌,材料质量以及电性能的影响,并且在室温下得到了电阻率为4.37Ω·cm的样品结果。我们还讨论了退火对于Mg浓度以及杂质原子(H,O,C)浓度的影响,发现热退火导致了Mg原子的......
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