搜索筛选:
搜索耗时0.6134秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 9 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：徐毓龙,徐玉成,
来源：中国真空学会电子材料与器件第十届学术年会 年份：1994
...
[会议论文] 作者：徐毓龙,姚奎,孙一军,
来源：第二届全国敏感元件传感器学术会议 年份：1991
...
[会议论文] 作者：黄文科,徐光裕,徐毓龙,
来源：第二届全国敏感元件传感器学术会议 年份：1991
...
[会议论文] 作者：胡英,周晓华,徐毓龙,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/SiGeHEMT结构的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的n与实验结果基本相符,并利用该设计理论对K.Ismail器件...
[会议论文] 作者：徐毓龙,阎西林,孙承永,
来源：中国电子学会电子元件学会混合集成电路第六届学术会议 年份：1989
...
[会议论文] 作者：惠春,徐爱兰,徐毓龙,
来源：2002年西部地区纳米技术与应用研讨会 年份：2002
在研究了贵金属Pd和离子Pd2+催化剂对纳米结构厚膜材料气敏特性的影响之后,提出了纳米催化效应的见解.认为将微量Pd2+的水溶液加入到纳米晶SnO2-x粉体中,可使Pd2+离子均匀地...
[会议论文] 作者：胡英,周晓华,徐毓龙,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/SiGeHEMT结构的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的n与实验结果基本相符,并利用该设计理论对K.Ismail器件的导质结结构进行了优化改进,提高了器件2DEG的n.......
[会议论文] 作者：孙承永,王旭升,徐毓龙,
来源：中国电子学会电子元件学会混合集成电路第六届学术会议 年份：1989
...
[会议论文] 作者：曹全喜;周晓华;徐毓龙;牛苏彦;,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
该文通过对不同厂家生产的ZnO、CoO、CaCo、MnO以及用不同方法制备的SArTiO粉体的显微观察和比表面积等物理参数的测试，研究了不同物理参数的材料对功能材料性能的影响，指出了...
相关搜索：
