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[会议论文] 作者：李宁瑾,
来源：《中国给水排水》第七届年会暨2010年水处理新技术新工艺及给(污)水厂运行管理高级研讨会 年份：2010
本文对活性污泥法脱氮除磷的SBR工艺与倒置A2O工艺的计算方法进行了对比分析，得到了一些新的见解。...
[会议论文] 作者：李宁瑾,
来源：《中国给水排水》第七届年会暨2010年水处理新技术新工艺及给(污)水厂运行管理高级研讨会 年份：2010
本文简述了镀件逆流清洗方法的分类与在节能减排、污染防治中的重要地位。推导出了断续补水逆流清洗与间歇倒槽换水逆流清洗各级浓度的理论公式，并对规范中的近似公式进行了评......
[会议论文] 作者：宁瑾,刘忠立,高见头,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文在n型4H-SiC外延层上,采用H、O合成的办法,热生长300A的SiO层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H、O合成热生长的SiO与4H-SiC外延层之间具有......
[会议论文] 作者：宁瑾,张杨,刘忠立,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2μm/2mm,其中0.5μm/80μm的MESFET器件的漏极电流密度最高,频率特性最好.在漏源电......
[会议论文] 作者：宁瑾,刘忠立,孙国胜,高见头,
来源：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：2005
本文讨论了高电压4H-SiC肖特基二极管的辐射效应,制备出肖特基接触金属为Ti金属的二极管,并对其抗总剂量辐照特性进行了研究.样品在经过1×106rad(Si)总剂量辐照以后,直流I-V...
[会议论文] 作者：崔得东[1]郝重阳[1]宁瑾歌[2],
来源：二〇〇六年全国光电技术学术交流会 年份：2006
分析了制导光纤在缠绕状态下产生附加损耗的因素,建立一套解析模型,用来分析在精密缠绕过程中固有的交绕区的微弯损耗,并且将其结果与试验数据进行了比较.低温条件下,附加的...
[会议论文] 作者：王亮,宁瑾,孙国胜,刘兴昉,赵永梅,赵万顺,王雷,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
提出了一种采用表面微加工技术制作叉指状多晶3C-SiC横向谐振器的制作方案。利用氧化硅材料作为器件结构的隔离层和牺牲层，并在氧化硅上异质沉积生长2微米厚的多晶SiC材料...
[会议论文] 作者：王亮,赵万顺,宁瑾,孙国胜,刘兴昉,王雷,赵永梅,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
提出了一种采用表面微加工技术制作叉指状多晶3C-SiC横向谐振器的制作方案。利用氧化硅材料作为器件结构的隔离层和牺牲层，并在氧化硅上异质沉积生长2微米厚的多晶SiC材料，在大气环境下，采用光学MEMS动态分析设备，成功测量了不同尺寸谐振器的工作情况，器件的谐振频率......
[会议论文] 作者：巩全成,宁瑾,孙国胜,高见头,王雷,李国花,曾一平,李晋闽,李思渊,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀条件,该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可以获得较陡直的侧墙.不同的刻蚀气体对刻蚀速率有明显的影响,用纯CHF3或CHF3与O2的混合气......
[会议论文] 作者：刘兴昉,李晋闽,孙国胜,赵永梅,宁瑾,蔡淑娴,王亮,王雷,赵万顺,曾一平,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
提出了一种用于MEMS的硅基碳化硅微通道(阵列)及其制备方法，它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相沉积方法制备碳化硅。首先在硅衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构，凹槽之间留出台面，凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)以及它们的分布方式根据需要而定。此......
[会议论文] 作者：刘兴昉,曾一平,孙国胜,李晋闽,赵永梅,宁瑾,王雷,赵万顺,罗木昌,李家业,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器＃1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层和n+衬底组成,在探测器＃1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透......
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