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[会议论文] 作者：向荣;吴晶晶;孙海锋;,
来源：第十二届(2017)中国管理学年会 年份：2017
在新兴的电子商务大环境下，生产方式、流通方式、消费方式等一系列的方式的深度改革。在这种环境下，消费者权益受到侵害并且无较好的手段去解决伤害事件，极大地打击了消费者......
[会议论文] 作者：孙海锋,夏新林,陈学,
来源：第七届全国青年计算物理学术交流会 年份：2013
本文对于气动热作用下的表面温度场已知的马赫数接近于1的高速飞行器,进行了飞行器表面的红外成像方法的研究,提出了红外特性计算——光学系统成像的方法.该方法具有一次红外...
[会议论文] 作者：孙海锋,刘新宇,海潮和,徐秋霞,吴德馨,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文对全耗尽SOI CMOS技术中的注Ge硅化物工艺进行了研究.Ge的注入,使Si非晶化,减小了硅化物的形成能量.Ti硅化物在非晶层上形成.与传统的Ti硅化物相比,注Ge硅化物工艺有两个...
[会议论文] 作者：郑丽萍,严北平,孙海锋,刘新宇,和致经,吴德馨,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
以p-GaAsSb作为基区材料,利用微空气桥隔离工艺制作了NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管(DHBT:Double Heterojunction Bipolar Transistor).测量结果显示,该晶体管的be结正向开启电压(turn-on voltage)仅为0.76V.......
[会议论文] 作者：孙海锋,和致经,王延锋,刘新宇,郑丽萍,吴德馨,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
利用GaAs湿法腐蚀各向异性的特点来形成BE结金属的自对准,对InGaP/GaAs HBT器件进行了研究.器件特征频率为40GHz(发射极面积为4μm×14μm),电流增益为50,阈值电压为1.1V....
[会议论文] 作者：刘洪民;袁志鹏;孙海锋;和致经;王素琴;王润梅;刘新宇;吴德馨;,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
我们采用微电子中心自行开发的4英寸InGaP/GaAs HBT技术,设计和制造了10Gb/s光调制器驱动电路.并在高频电信号测试上取得突破,该驱动电路的输出电压摆幅达到3Vpp,上升时间达3...
[会议论文] 作者：孙海锋;刘新宇;和致经;刘训春;郑丽萍;袁志鹏;刘洪刚;石瑞英;,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
本文简要介绍了中国科学院微电子所在异质结双极晶体管(HBT)研究方面取得的一些成果.异质结双极晶体管(HBT)是国防、通信等高技术领域所需的关键器件之一.由于社会的信息化、...
[会议论文] 作者：刘运龙,中国科学院半导体研究所(北京),刘新宇,中国科学院半导体研究所(北京),孙海锋,中国科学院半导体研究所(北京),海潮和,中国科学院半导体研究所(北京),吴德馨,中国科学院半导体研究所(北京),和致经,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文对氮化H-O合成薄栅氧抗辐照性能进行了研究,将H-O合成和氮氧化栅两种技术结合起来,充分利用两者的优点制成三层结构的Sandwich栅,对比了常规氧化、H-O合成氧化和氮化H-O合成氧化三种方式及不同退火条件得出:氮化H-O合成氧化方法抗辐照性能最佳、采用硅化物......
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