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[学位论文] 作者：刘冠洲,
来源：厦门大学 年份：2012
Si CMOS尺寸缩小的难度和成本日益增加,高迁移率的Ge沟道MOSFET的研究得到了迅速发展,Ge沟道高k介质MOSFET成为下一代CMOS技术可能的选择之一。然而HfO2/Ge结构面临着界面态...
[学位论文] 作者：关中杰,
来源：云南大学 年份：2012
本论文针对改善由Si和Ge之间晶格失配较大而导致的失配位错密度高、表面粗糙度RMS大等问题对Ge薄膜性能的影响，研究制备高质量的Si基Ge薄的方法。本论文利用磁控溅射技术，采用...
[学位论文] 作者：赵存,
来源：苏州大学 年份：2012
自2000年开始，GE公司航空集团以惊人的速度扩张和壮大，业务量高速增长，2001年至2010年实现每年平均20％以上的销售增长。...2004年底，GE公司（美国）收购Smiths公司（英国）航空业务部分之后，由...
[学位论文] 作者：毛平周,
来源：中南大学 年份：2012
GE和中航工业的骨干企业西航集团合作之初，西航集团面临由于质量而引起的交付问题，经过调查经过调查、研究和论证，中航工业西航集团公司决定从GE公司引进精益六西格玛质量管理来...
[学位论文] 作者：李玉,
来源：辽宁师范大学 年份：2012
本文研究的是高电荷的类锂Ge29+离子，首先简单介绍了锗(Ge)元素的原子特性及广泛应用，然后简要叙述了高电荷离子的定义、研究意义及其制备和引出装置，最后对Ge29+离子1s2nl(l=0，1...
[学位论文] 作者：冯琳,,
来源：电子科技大学 年份：2012
In2Ge2O7是一种三元氧化物半导体,禁带宽度为4.43eV,吸收波长为280nm,对应于日盲波段,因此有望应用于日盲探测领域。本论文的主要工作是采用碳还原共蒸发法制备In2Ge2O7薄膜,...
[学位论文] 作者：路长宝,
来源：厦门大学 年份：2012
随着硅集成电路特征尺寸接近其物理极限，具有高迁移，且与硅工艺兼容性好的Ge成为下一代高性能集成电路的候选材料之一。然而由于Ge表面本征氧化层稳定性差，采用高介电常数(高k)...
[学位论文] 作者：郑义清,
来源：厦门大学 年份：2012
本文作者有着多年的彩超销售和管理经验，试图从市场营销学的理论出发来考察GE彩超在中国市场的营销战略：客...
[学位论文] 作者：陈虎,,
来源： 年份：2012
Si、Ge体材料均为间接带隙半导体材料，其光学跃迁需要声子的参与，故发光效率很低。为了突破间接带隙半导体体材料在发光方面的应用限制，人们制备出多种半导体量子点材料。这些受...
[学位论文] 作者：叶小松,
来源：云南大学 年份：2012
本论文采用磁控溅射技术在Si衬底上生长Ge纳米点。根据材料制备工艺的需求，针对工艺中的关键影响因素进行了系列探索实验。分析AFM和Raman对纳米点的形貌和晶体特性的检测结果...
[学位论文] 作者：王翔,,
来源： 年份：2012
面对这样的产业环境,GE医...
[学位论文] 作者：苏少坚,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2012
Ge1-xSnx合金的晶格常数和禁带宽度分别在5.6579-6.4892A和0-0.66eV(直接带为0-0.8eV)连续可调，并且当x大于～7％时将成为直接带隙半导体，因此有望应用于硅光子学和红外光电子学等...
[学位论文] 作者：曾凡伟,
来源：辽宁师范大学 年份：2012
本文对高电荷离子Ge29+离子的1s2...
[学位论文] 作者：刘凯,
来源：东华大学 年份：2012
本文作者通过自身在GE医疗（中国）的工作经历，在对中国医疗市场深入调查分析的基础上，结合目前公司的销售、产品策略对现有的数字化X光机（Digital Radiography，以下简称 DR）的营销策...
[学位论文] 作者：廖忠全,,
来源：中南大学 年份：2012
本文以Al-3.5Cu-(0.4Mg)合金为基础合金,借助硬度测试、拉伸性能测试、剥落腐蚀性能测试等方法研究了Ge对合金性能的影响；差热分析、透射电镜(TEM、HRTEM)、原子探针摄影术(AP...
[学位论文] 作者：李莎,
来源：武汉理工大学 年份：2012
Ge-Te基非晶材料具有良好的室温热稳定性、极高的Seebeck系数(>600μVK-1)和极低的热导率(-0.1Wm-1K-1)等优点,同时也存在着电导率低(不及典型热电材料如Bi2Te3基材料的千分...
[学位论文] 作者：李红利,,
来源： 年份：2012
目的了解目前国际上应用最广泛的GE系列和Hologic系列DXA骨密度仪测量全身体成分结果之间的关系,建立两种系列仪器测量结果的相互转换公式,为多中心科研协作、评价药物对体成...
[学位论文] 作者：杨涛,
来源：云南大学 年份：2012
在Si基上自组装生长的Ge量子点，在光学和电学上表现出许多独特性质，利用这些性质制作的新型器件将在微电子和光电子领域发挥重要作用。而且Si基量子点能与成熟的硅集成电路工艺...
[学位论文] 作者：邓旋,,
来源：太原理工大学 年份：2012
其中Ge-ZSM-5分子筛膜由于具有优异的疏水性,而备受关注。本课题分别采...
[学位论文] 作者：李亦清,
来源：苏州大学 年份：2012
Ge2Sb2Te5(GST)虽然是一种比较成熟的材料,但它的特性还在不断摸索中。特别是将它用在相变存储器上...
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