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[学位论文] 作者：葛瑞萍,
来源：南京大学 年份：2009
在Si上外延生长Ge和高Ge组分的Si1-xGex合金具有广泛的应用。采用Ge组分渐变的Si1-xGex合金作为缓冲层可以减少因Ge、Si间存在较大的晶格失配而引起的失配位错，提高外延Ge薄膜...
[学位论文] 作者：刘雁鸣,,
来源： 年份：2004
GE集团,主要分为“GE”(主要指工业部分)和GE的金融服务集团(即GE Capital),本文比较详细的介绍了GE集团的增长战略、GE Capital的组成和发展历程,对GE Capital与GE其他业务...
[学位论文] 作者：高军帅,
来源：西安理工大学 年份：2019
Ge1-xCx薄膜成分简单易得，且光学带隙可随Ge/C含量及Ge-C键合比宽范围调整，作为一种新型高效低成本半导体薄膜材料在红外光学/光伏材料领域应用潜力巨大。为保证其制备所需的非...
[学位论文] 作者：高军帅,,
来源：西安理工大学 年份：2004
Ge1-xCx薄膜成分简单易得,且光学带隙可随Ge/C含量及Ge-C键合比宽范围调整,作为一种新型高效低成本半导体薄膜材料在红外光学/光伏材料领域应用潜力巨大。为保证其制备所需的...
[学位论文] 作者：高尧琦,
来源：天津理工大学 年份：2021
通过界面复合和原子吸附可以调制二维g-C_3N_4/Cr_2Ge_2Te_6范德华异质结构的电子结构和磁性,这为为其在电子学和光子学器件中的应用提供理论依据。...本文基于密度泛函理论主要研究了:(1)二维g-C_3N_4/Cr_2Ge_2Te_6范德华异质结构的电子结构和磁性;(2)二维g-C_3N_4/Li-Cr_2Ge_2Te_6范德华...
[学位论文] 作者：梁冬雪,
来源：厦门大学 年份：2020
锗(Ge)因其具有高载流子迁移率、在光通信波长(～1.55 μm)具有大的吸收系数,准直接带隙结构以及与Si工艺相兼容等优点,被认为是最有希望的硅基光电集成回路候选材料。...由于Ge中施主杂质的固溶度低、扩散系数大,n型重掺Ge及Ge n+/p浅结的实现已成为制备Ge基器件的挑战之一。...围绕这一问题,本论文开展了 Ge上磷(P)旋涂掺杂及浅结制备的研究,主要工作内容和创新点如下:1.创新地提出了在Ge表...
[学位论文] 作者：许蓓,,
来源：西安工程大学 年份：2004
Ge/SiC异质结可以实现SiC器件对可见光和近红外光的触发。由于Ge/SiC异质结界面的电学、光学等特性有别于体材料的光电特性,而SiC和Ge在理论上约存在23.0%的晶格失配,其界面...
[学位论文] 作者：朱海峰,
来源：东南大学 年份：2003
通用电气(GE)公司成立于1892年,其前身是爱迪生于1878年创办的爱迪生电灯公司.GE历经百年而不衰,其管理为全世界所称道,尤其是杰克·韦尔奇担任CEO的20年里,更是将GE带到了一...
[学位论文] 作者：刘苗,
来源：大连理工大学 年份：2017
因为Ge在Cu中有较大固溶度(约9%)，所以Cu-Ge二元合金系统具有固溶态和化合态两大成分区间。Ge具有较大的原子半径，固溶于Cu中会造成较大的晶格畸变，有望用来提高Cu薄膜的稳定性；...
[学位论文] 作者：黄昌俊,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2002
该论文的工作以自组织为Ge岛为主要研究对象,对单层和多层Ge量子点的结构、尺寸、形状、分布和相应的演化过程,以及光学性质进行了系统的分析,发现了一些新现象,并给出了相应...
[学位论文] 作者：刘冠洲,
来源：厦门大学 年份：2012
Si CMOS尺寸缩小的难度和成本日益增加,高迁移率的Ge沟道MOSFET的研究得到了迅速发展,Ge沟道高k介质MOSFET成为下一代CMOS技术可能的选择之一。然而HfO2/Ge结构面临着界面态...
[学位论文] 作者：宋佳琪,
来源：陕西科技大学 年份：2021
锗基材料作为非常有前景的负极材料被越来越多的人所研究,由于其具有较高的理论容量本论文主要通过制备与碳材料复合的Ge/C复合材料,引入氧化物制备的材料Ge/GeO2/C,以及三元锗盐Ca2Ge7O16来提升...Ge单质的电化学性能,主要研究结果如下:(1)我们使用一种简单的方法制备了一种球形结构的锂离子电...
[学位论文] 作者：伏开虎,
来源：中国建筑材料科学研究总院 年份：2020
论文针对射频磁控溅射法低温沉积红外防护Ge_(1-x)C_x/C膜的结构、性能及其在As40Se60硫系玻璃表面的应用展开研究工...
[学位论文] 作者：关中杰,
来源：云南大学 年份：2012
本论文针对改善由Si和Ge之间晶格失配较大而导致的失配位错密度高、表面粗糙度RMS大等问题对Ge薄膜性能的影响，研究制备高质量的Si基Ge薄的方法。本论文利用磁控溅射技术，采用...
[学位论文] 作者：秦志辉,
来源：中国科学院物理研究所 年份：2006
本论文采用扫描隧道显微镜对Si(111)表面上Ge的纳米结构、大范围平整Ge(001)表面的制备、Ge(001...
[学位论文] 作者：薄锐,
来源：云南大学 年份：2010
而自组装生长的Ge/Si量子点材料可以与现有的Si基C...
[学位论文] 作者：王泽华,,
来源：西安电子科技大学 年份：2020
Ge材料具有与Si材料工艺相兼容,能带结构可调整等优点,有望利用其在Si衬底上制备LED作为光电集成的光源器件。...为了本文从分析张应变Ge材料特性入手,利用半导体器件仿真软件Silvaco TCAD搭建了张应变Ge LED器件模型并对结果进行分析,并在实验上制备出了Si-Ge-Si双异质结结构的LED,达到了研究目的...
[学位论文] 作者：贾宝丽,,
来源： 年份：2007
乙烯是平面结构,而大部分C=M和M=M（M=Si,Ge,Sn等）类烯烃都呈反式弯曲的非平面结...
[学位论文] 作者：包文涛,
来源：西安电子科技大学 年份：2018
Si衬底上Ge薄膜制备过程中，利用二者之间的热失配，可在Ge薄膜层中引入张应力。张应力改性作用下，Ge能带结构由间接带隙类型转化为准直接带隙或直接带隙类型，将其应用于光子器件，可...
[学位论文] 作者：张永锐,,
来源：山东大学 年份：2015
本文系统研究了Ge元素对Al-18Si合金组织及性能的影响,揭示了Al-18Si-xGe合金中Si(Ge)相形成与演变的规律,讨论了其组织形态与硬度的相关性；利用晶粒细化和快速凝固技术对Al-S...
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